WAVELENGTH DEPENDENCE OF LASER-ENHANCED OXIDATION OF SILICON

被引：46

作者：

SCHAFER, SA

LYON, SA

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1982年 / 21卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.571669

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：422 / 425

页数：4

相关论文

共 22 条

[21]

VANDERME.YJ, 1972, J ELECTROCHEM SOC, V119, P530

[22] VARIATION OF SEMICONDUCTOR BAND-GAPS WITH LATTICE TEMPERATURE AND WITH CARRIER TEMPERATURE WHEN THESE ARE NOT EQUAL [J].

VANVECHTEN, JA ;

WAUTELET, M .

PHYSICAL REVIEW B, 1981, 23 (10) :5543-5550