DIFFUSION OF GERMANIUM IN SILICON

被引：53

作者：

MCVAY, GL ^{[1
]}

DUCHARME, AR ^{[1
]}

机构：

[1] SANDIA LABS,ALBUQUERQUE,NM 87115

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1662371

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1409 / 1410

页数：2

共 16 条

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