ELECTROCHEMICALLY DEPOSITED SCHOTTKY CONTACTS ON GAAS

被引：16

作者：

DORBECK, FH

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(66)90138-9

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1135 / &

共 5 条

[1] SURFACE STATES AND BARRIER HEIGHT OF METAL-SEMICONDUCTOR SYSTEMS [J].

COWLEY, AM ;

SZE, SM .

[2] A DIFFUSION MASK FOR GERMANIUM [J].

JORDAN, EL .

[3] AU-N-TYPE GAAS SCHOTTKY BARRIER + ITS VARACTOR APPLICATION [J].

KAHNG, D .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1964, 43 (1P1) :215-+

[4]

MEAD CA, 1964, PHYS REV A, V134, P713

[5] EXPERIMENTAL STUDY OF GOLD-GALLIUM ARSENIDE SCHOTTKY BARRIERS [J].

PADOVANI, FA ;

SUMNER, GG .