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SULFUR INCORPORATION IN VPE GAAS
被引:25
作者
:
VEUHOFF, E
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VEUHOFF, E
MAIER, M
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MAIER, M
BACHEM, KH
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BACHEM, KH
BALK, P
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0
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BALK, P
机构
:
来源
:
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
|
1981年
/ 53卷
/ 03期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0022-0248(81)90145-7
中图分类号
:
O7 [晶体学];
学科分类号
:
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要
:
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页码:598 / 604
页数:7
相关论文
共 22 条
[21]
TIN-DOPING EFFECTS IN GAAS FILMS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
[J].
WOOD, CEC
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WOOD, CEC
;
JOYCE, BA
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JOYCE, BA
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1978,
49
(09)
:4854
-4861
[22]
ZSCHAUER KH, 1971, 3RD P INT S GAAS, P100
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共 22 条
[21]
TIN-DOPING EFFECTS IN GAAS FILMS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
[J].
WOOD, CEC
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WOOD, CEC
;
JOYCE, BA
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JOYCE, BA
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1978,
49
(09)
:4854
-4861
[22]
ZSCHAUER KH, 1971, 3RD P INT S GAAS, P100
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