EPITAXIAL-GROWTH OF CDXHG1-XTE

被引:6
作者
SARAIE, J [1 ]
FURUKAWA, S [1 ]
SAWA, B [1 ]
TANAKA, T [1 ]
机构
[1] KYOTO UNIV,FAC ENGN,DEPT ELECTR ENGN,KYOTO,JAPAN
关键词
D O I
10.1143/JJAP.12.1259
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:1259 / 1260
页数:2
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共 2 条
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COHENSOL.G ;
MARFAING, Y ;
BAILLY, F .
REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE, 1966, 1 (01) :11-&
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TUFTE, ON ;
STELZER, EL .
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1969, 40 (11) :4559-&