CHARGED WALL BEHAVIOR IN 1-MU-M BUBBLE IMPLANTED STRUCTURES

被引:48
作者
LIN, YS [1 ]
DOVE, DB [1 ]
SCHWARZL, S [1 ]
SHIR, CC [1 ]
机构
[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598
关键词
D O I
10.1109/TMAG.1978.1059966
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页数:6
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