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EMITTER GRADING IN ALGAAS/GAAS HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTOR GROWN BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
被引:15
作者
:
TAIRA, K
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TAIRA, K
TAKANO, C
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TAKANO, C
KAWAI, H
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KAWAI, H
ARAI, M
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ARAI, M
机构
:
来源
:
APPLIED PHYSICS LETTERS
|
1986年
/ 49卷
/ 19期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.97385
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
收藏
页码:1278 / 1280
页数:3
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[1]
OPTIMUM EMITTER GRADING FOR HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
[J].
HAYES, JR
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HAYES, JR
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CAPASSO, F
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.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1983,
43
(10)
:949
-951
[2]
ENERGY-BAND DISCONTINUITIES IN HETEROJUNCTIONS MEASURED BY INTERNAL PHOTOEMISSION
[J].
HEIBLUM, M
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.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1985,
47
(05)
:503
-505
[3]
ISHIBASHI T, 1984, I PHYS C SER, V74, P593
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共 3 条
[1]
OPTIMUM EMITTER GRADING FOR HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
[J].
HAYES, JR
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HAYES, JR
;
CAPASSO, F
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WIEGMANN, W
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WIEGMANN, W
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1983,
43
(10)
:949
-951
[2]
ENERGY-BAND DISCONTINUITIES IN HETEROJUNCTIONS MEASURED BY INTERNAL PHOTOEMISSION
[J].
HEIBLUM, M
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HEIBLUM, M
;
NATHAN, MI
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NATHAN, MI
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EIZENBERG, M
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EIZENBERG, M
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1985,
47
(05)
:503
-505
[3]
ISHIBASHI T, 1984, I PHYS C SER, V74, P593
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