EFFECT OF MINORITY CARRIER TRAPPING ON LOW-TEMPERATURE CHARACTERISTICS OF SI TRANSISTORS

被引：12

作者：

DUMKE, WP

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1970年 / ED17卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1970.16992

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：388 / &

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