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SURFACE VALENCE BAND AND PLASMON FEATURES ON CLEAN CLEAVED SILICON
被引:8
作者
:
ARNOTT, DR
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV NEW S WALES,DIV SURFACE PHYS,POB 1,KENSINGTON 2033,AUSTRALIA
UNIV NEW S WALES,DIV SURFACE PHYS,POB 1,KENSINGTON 2033,AUSTRALIA
ARNOTT, DR
[
1
]
HANEMAN, D
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV NEW S WALES,DIV SURFACE PHYS,POB 1,KENSINGTON 2033,AUSTRALIA
UNIV NEW S WALES,DIV SURFACE PHYS,POB 1,KENSINGTON 2033,AUSTRALIA
HANEMAN, D
[
1
]
机构
:
[1]
UNIV NEW S WALES,DIV SURFACE PHYS,POB 1,KENSINGTON 2033,AUSTRALIA
来源
:
SURFACE SCIENCE
|
1974年
/ 45卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0039-6028(74)90159-9
中图分类号
:
O64 [物理化学(理论化学)、化学物理学];
学科分类号
:
070304 ;
081704 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:128 / 140
页数:13
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共 32 条
[31]
TAFT EA, 1965, PHYS REV A, V138, P197
[32]
THIN REACTION LAYERS AND SURFACE STRUCTURE OF SILICON(111)
[J].
TAYLOR, NJ
论文数:
0
引用数:
0
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0
TAYLOR, NJ
.
SURFACE SCIENCE,
1969,
15
(01)
:169
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[31]
TAFT EA, 1965, PHYS REV A, V138, P197
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THIN REACTION LAYERS AND SURFACE STRUCTURE OF SILICON(111)
[J].
TAYLOR, NJ
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TAYLOR, NJ
.
SURFACE SCIENCE,
1969,
15
(01)
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