LATTICE LOCATION AND DOPANT BEHAVIOR OF GROUP-II AND GROUP-VI ELEMENTS IMPLANTED IN SILICON

被引：10

作者：

MEYER, O

JOHANSSON, NG

PICRAUX, ST

MAYER, JW

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1098(70)90297-8

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：529 / +

页数：1

共 7 条

BARON, R ;

SHIFRIN, GA ;

MARSH, OJ ;

MAYER, JW .

CROWDER, BL ;

MOREHEAD, FF .

ERIKSSON, L ;

DAVIES, JA ;

JOHANSSON, NG ;

MAYER, JW .

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JOHANSSON NGE, TO BE PUBLISHED

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