HIGHLY CONTROLLABLE ETCHING OF EPITAXIAL GAAS-LAYERS BY THE PULSE ETCHING METHOD

被引：19

作者：

GRUB, A

FRICKE, K

HARTNAGEL, HL

机构：

[1] Institut fur Hochfrequenztechnik, TH Darmstadt,Merckstrasse 25

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1991年 / 138卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2085691

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

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页码：856 / 857

页数：2

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共 4 条

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