EFFECT OF DISORDER ON EXCITON BINDING IN SEMICONDUCTOR ALLOYS

被引：27

作者：

KANEHISA, MA ^{[1
]}

ELLIOTT, RJ ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV OXFORD,DEPT THEORET PHYS,OXFORD OX1 3NP,ENGLAND

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1987年 / 35卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.35.2228

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：2228 / 2236

页数：9

共 27 条

ONODERA, Y ;

TOYOZAWA, Y .

SEN, PN .

SHAM, LJ ;

RICE, TM .

PHYSICAL REVIEW, 1966, 144 (02) :708-&

[24] ELECTROREFLECTANCE IN GAAS-GAP ALLOYS [J].

THOMPSON, AG ;

CARDONA, M ;

SHAKLEE, KL ;

WOOLLEY, JC .

PHYSICAL REVIEW, 1966, 146 (02) :601-&

VELICKY, B .

PHYSICAL REVIEW, 1969, 184 (03) :614-&

VELICKY, B ;

KIRKPATRICK, S ;

EHRENREICH, H .

PHYSICAL REVIEW, 1968, 175 (03) :747-+

[27]

Yonezawa F, 1973, PROGR THEOR PHYS S, V53, P1, DOI DOI 10.1143/PTPS.53.1