DETERMINATION OF DOPING PROFILE OF A THYRISTOR FROM C-V MEASUREMENTS

被引：1

作者：

BAKOWSKI, M ^{[1
]}

BOLANDER, G ^{[1
]}

AKESSON, C ^{[1
]}

机构：

[1] CHALMERS UNIV TECHNOL,RES LAB ELECTR III,GOTHENBURG,SWEDEN

来源：

关键词：

D O I：

10.1080/00207217308938585

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：641 / 653

页数：13

共 6 条

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