INFLUENCE OF ANNEALING DURING GROWTH ON DEFECTS IN CZOCHRALSKI SILICON

被引：7

作者：

NAKANISHI, H

KOHDA, H

HIRATA, H

HOSHIKAWA, K

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1980年 / 19卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.19.561

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：561 / 562

页数：2

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共 3 条

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