RELIABILITY OF AUGE-PT AND AUGE-NI OHMIC CONTACTS ON GAAS

被引：16

作者：

LEE, CP

WELCH, BM

FLEMING, WP

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1981年 / 17卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19810283

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：407 / 408

页数：2

相关论文

共 4 条

[1] CONTACT RESISTANCE AND CONTACT RESISTIVITY
BERGER, HH
[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1972, 119 (04) : 507 - &
[2] EFFECT OF ALLOYING BEHAVIOR ON ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF N-GAAS SCHOTTKY DIODES METALLIZED WITH W, AU, AND PT
SINHA, AK
POATE, JM
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1973, 23 (12) : 666 - 668
[3] LSI PROCESSING TECHNOLOGY FOR PLANAR GAAS INTEGRATED-CIRCUITS
WELCH, BM
SHEN, Y
ZUCCA, R
EDEN, RC
LONG, SI
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1980, 27 (06) : 1116 - 1124
[4] WHITTMER M, 1977, J VAC SCI TECHNOL, V14, P935