JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS AT 4.2K

被引：12

作者：

WAGNER, RR

ANDERSON, PT

BERTMAN, B

机构：

来源：

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS | 1970年 / 41卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1684726

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

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页码：917 / &

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共 4 条

[1]

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