COMPARISON OF SN-ION-IMPLANTED, GE-ION-IMPLANTED, SE-ION-IMPLANTED AND TE-ION-IMPLANTED GAAS

被引：15

作者：

SURRIDGE, RK ^{[1
]}

SEALY, BJ ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SURREY,DEPT ELECTR & ELECT ENGN,GUILDFORD GU2 5XH,SURREY,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1088/0022-3727/10/6/014

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：911 / 917

页数：7

共 7 条

HARRIS, TJ ;

SEALY, BJ ;

SURRIDGE, RK .

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