THICKNESS AND TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE CONDUCTIVITY OF PHOSPHORUS-DOPED HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON

被引：61

作者：

AST, DG ^{[1
]}

BRODSKY, MH ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES | 1980年 / 41卷 / 03期

关键词：

Compendex;

D O I：

10.1080/13642818008245385

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

Semiconducting silicon

引用

页码：273 / 285

页数：13