OXIDATION OF GAAS1-XPX SURFACE BY OXYGEN PLASMA AND PROPERTIES OF OXIDE FILM

被引：52

作者：

SUGANO, T ^{[1
]}

MORI, Y ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV TOKYO,DEPT ELECTR ENGN,7-3-1 HONGO,BUNKYO 113,TOKYO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2396802

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：113 / 118

页数：6

共 6 条

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