CONDUCTION MECHANISMS IN SPUTTERED TA2O5 ON SI WITH AN INTERFACIAL SIO2 LAYER

被引：77

作者：

BANERJEE, S ^{[1
]}

SHEN, B ^{[1
]}

CHEN, I ^{[1
]}

BOHLMAN, J ^{[1
]}

BROWN, G ^{[1
]}

DOERING, R ^{[1
]}

机构：

[1] TEXAS INSTRUMENTS INC,CTR SEMICOND PROC & DESIGN,DALLAS,TX 75265

来源：

基金：

美国国家科学基金会;

关键词：

D O I：

10.1063/1.343052

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1140 / 1146

页数：7

共 14 条

[11] FORMATION OF HIGH-QUALITY, MAGNETRON-SPUTTERED TA2O5 FILMS BY CONTROLLING THE TRANSITION REGION AT THE TA2O5/SI INTERFACE
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