THE CONCENTRATION PROFILES OF THE RECOIL IMPLANTED OXYGEN IN SI AFTER ION IMPLANTATIONS INTO SIO2-SI SUBSTRATES

被引：5

作者：

HIRAO, T ^{[1
]}

INOUE, K ^{[1
]}

FUSE, G ^{[1
]}

TAKAYANAGI, S ^{[1
]}

YAEGASHI, Y ^{[1
]}

机构：

[1] MATSUSHITA ELECTR CORP,RES LAB,TAKATSUKI,OSAKA,JAPAN

来源：

RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS | 1980年 / 47卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1080/00337578008209194

中图分类号：

TL [原子能技术]; O571 [原子核物理学];

学科分类号：

0827 ; 082701 ;

摘要：

引用

页码：95 / 98

页数：4

共 6 条

[1]

GIBBONS JF, 1975, PROJECTED RANGE STAT

GOETZBERGER, A ;

BARTELINK, DJ ;

MCVITTIE, JP ;

GIBBONS, JF .

HIRAO, T ;

INOUE, K ;

TAKAYANAGI, S ;

YAEGASHI, Y .

[4]

HIRAO T, UNPUBLISHED

[5]

MOLINE R, 1973, ATOMIC COLLISIONS SO, V1, P159

[6]

NATSUAKI N, 1976, 8TH P C SOL STAT DEV, V47