GROWTH-PROMOTING DISSOCIATED DISLOCATIONS IN SOLUTION-GROWN SILICON

被引：18

作者：

KASS, D

STRUNK, H

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(81)90492-2

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：L101 / L104

页数：4

共 5 条

[1] ANALYSIS OF DISLOCATIONS CREATING MONO-MOLECULAR GROWTH STEPS [J].

BAUSER, E ;

STRUNK, H .

[2] EDGE DISLOCATIONS AS CRYSTAL-GROWTH SOURCES [J].

FRANK, FC .

KOLBESEN, BO ;

MAYER, KR ;

SCHUH, GE .

JOURNAL OF PHYSICS E-SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 1975, 8 (03) :197-199

[4]

LINNEBACH R, UNPUBLISHED

[5]

[No title captured]