OXYGEN-IMPLANTED DOUBLE-HETEROJUNCTION GAAS-GAALAS INJECTION LASERS

被引：31

作者：

BLUM, JM ^{[1
]}

MCGRODDY, JC ^{[1
]}

MCMULLIN, PG ^{[1
]}

SHIH, KK ^{[1
]}

SMITH, AW ^{[1
]}

ZIEGLER, JF ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JQE.1975.1068675

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：413 / 418

页数：6

共 14 条

TSUKADA, T ;

UMEDA, J ;

NAKADA, O ;

CHINONE, N ;

ITO, R ;

NAKASHIM.H ;

NAKAMURA, S .

[12] GAAS-ALXGA1-XAS DOUBLE HETEROSTRUCTURE PLANAR STRIPE LASER [J].

YONEZU, H ;

SAKUMA, I ;

KOBAYASH.K ;

KAMEJIMA, T ;

UENO, M ;

NANNICHI, Y .

[13]

ZIEGER J, 1974, INT C ION IMPLANTATI

ZIEGLER, JF .