ELECTRON DIFFUSION LENGTHS IN GE-DOPED GAALAS

被引：15

作者：

KAWAKAMI, T ^{[1
]}

SUGIYAMA, K ^{[1
]}

机构：

[1] MUSASHINO ELECTR COMMUNI LAB,MUSASHINO,TOKYO,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1973年 / 12卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.12.151

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：151 / 152

页数：2

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