PHOTOLUMINESCENCE OF GE-DOPED GAXAL1-XAS

被引：12

作者：

SUGIYAMA, K

SAITO, H

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1971年 / 10卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.10.395

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：395 / &

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[1]

ILEGEMS M, 1969, 1968 P S GAAS, P3

[2] GERMANIUM-DOPED GALLIUM ARSENIDE [J].

ROSZTOCZY, FE ;

ERMANIS, F ;

HAYASHI, I ;

SCHWARTZ, B .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1970, 41 (01) :264-+

[3] EVIDENCE FOR SELF-ACTIVATED LUMINESCENCE IN GAAS - GALLIUM VACANCY-DONOR CENTER [J].

WILLIAMS, EW .

PHYSICAL REVIEW, 1968, 168 (03) :922-&