AMBIENT GAS INFLUENCE ON PHOTO-LUMINESCENCE INTENSITY FROM INP AND GAAS CLEAVED SURFACES

被引：36

作者：

NAGAI, H

NOGUCHI, Y

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1978年 / 33卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.90351

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：312 / 314

页数：3

相关论文

共 2 条

[1] EVIDENCE FOR LOW SURFACE RECOMBINATION VELOCITY ON N-TYPE INP
CASEY, HC
BUEHLER, E
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1977, 30 (05) : 247 - 249
[2] DEGRADATION OF PHOTOLUMINESCENCE INTENSITY CAUSED BY EXCITATION-ENHANCED OXIDATION OF GAAS SURFACES
SUZUKI, T
OGAWA, M
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1977, 31 (07) : 473 - 475