DEGRADATION OF PHOTOLUMINESCENCE INTENSITY CAUSED BY EXCITATION-ENHANCED OXIDATION OF GAAS SURFACES

被引：87

作者：

SUZUKI, T ^{[1
]}

OGAWA, M ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON ELECT CO LTD,CENT RES LAB,KAWASAKI 211,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.89745

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：473 / 475

页数：3

共 8 条

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