MODELING OF THE DISTRIBUTED GATE RC EFFECT IN MOSFETS

被引:7
作者
KIM, LS
DUTTON, RW
机构
关键词
D O I
10.1109/43.44517
中图分类号
TP3 [计算技术、计算机技术];
学科分类号
0812 ;
摘要
引用
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页码:1365 / 1367
页数:3
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共 2 条
[1]  
LIN HC, 1975, IEEE T ELECTRON DEV, VED22, P255
[2]   GATE ELECTRODE RC DELAY EFFECTS IN VLSIS [J].
SAKURAI, T ;
IIZUKA, T .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1985, 32 (02) :370-374