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HALL FACTOR OF DOPED NORMAL-TYPE GAAS AND NORMAL-TYPE INP
被引:11
作者
:
BENZAQUEN, M
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BENZAQUEN, M
WALSH, D
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WALSH, D
MAZURUK, K
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MAZURUK, K
机构
:
来源
:
PHYSICAL REVIEW B
|
1986年
/ 34卷
/ 12期
关键词
:
D O I
:
10.1103/PhysRevB.34.8947
中图分类号
:
T [工业技术];
学科分类号
:
08 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:8947 / 8949
页数:3
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共 12 条
[11]
RODE DL, 1975, TRANSPORT PHENOMENA, V10, P7
[12]
ELECTRON MOBILITY IN HIGH-PURITY GAAS
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STILLMAN, GE
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STILLMAN, GE
LINDLEY, WT
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LINDLEY, WT
[J].
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1970,
41
(07)
: 3088
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[11]
RODE DL, 1975, TRANSPORT PHENOMENA, V10, P7
[12]
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WOLFE, CM
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1970,
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