OXIDE-THICKNESS DETERMINATION FROM C/V MEASUREMENT IN AN MOS CAPACITOR

被引：8

作者：

SARRABAYROUSE, G ^{[1
]}

CAMPABADAL, F ^{[1
]}

PROM, JL ^{[1
]}

机构：

[1] CSIC,CTR NACL MICROELECTR,E-08193 BARCELONA,SPAIN

来源：

IEE PROCEEDINGS-G CIRCUITS DEVICES AND SYSTEMS | 1989年 / 136卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1049/ip-g-2.1989.0037

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：215 / 216

页数：2

共 7 条

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