SIMULTANEOUS EPITAXY AND SUBSTRATE OUT-DIFFUSION AT A METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE - FE/GAAS(001)-C(8X2)

被引:113
作者
CHAMBERS, SA
XU, F
CHEN, HW
VITOMIROV, IM
ANDERSON, SB
WEAVER, JH
机构
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1986年 / 34卷 / 10期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.34.6605
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:6605 / 6611
页数:7
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