CONDUCTION MECHANISMS IN AMORPHOUS AND DISORDERED SEMICONDUCTORS EXPLAINED BY A MODEL OF MEDIUM-RANGE DISORDER OF COMPOSITION

被引:37
作者
PISTOULET, B
ROBERT, JL
DUSSEAU, JM
ENSUQUE, L
机构
关键词
D O I
10.1016/0022-3093(78)90137-0
中图分类号
TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];
学科分类号
0805 ; 080502 ;
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