SURFACE-LAYER SWELLING ON IMPLANTATION OF HYDROGEN-IONS INTO SILICON AT DIFFERENT DOPING CONCENTRATIONS

被引:2
作者
ABROYAN, IA
KRUGLOV, MV
SOLOMIN, IK
机构
来源
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1987年 / 101卷 / 01期
关键词
D O I
10.1002/pssa.2211010132
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:K5 / K8
页数:4
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