SHORT COMMENT ON SEMICONDUCTORS IN RELAXATION REGIME

被引：11

作者：

STOCKMANN, F ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV KARLSRUHE, INST ANGEW PHYS, KARLSRUHE, WEST GERMANY

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE | 1973年 / 16卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210160255

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K157 / K160

页数：4

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共 5 条

[1]

KIESS H, TO BE PUBLISHED

QUEISSER, HJ ;

CASEY, HC ;

VANROOSB.W .

[3]

QUEISSER HJ, 1972, P EUROP SOLID STATE

[4]

STOCKMANN F, 1970, PHYS STATUS SOLIDI, V34, P741

[5] TRANSPORT IN RELAXATION SEMICONDUCTORS [J].

VANROOSB.W ;

CASEY, HC .

PHYSICAL REVIEW B, 1972, 5 (06) :2154-&