RESISTIVITY DECREASE DUE TO ELECTRON-SPIN RESONANCE IN METALLIC REGION OF HEAVILY PHOSPHORUS DOPED SILICON

被引：11

作者：

MORIGAKI, K

KISHIMOTO, N

LEPINE, DJ

机构：

[1] UNIV TOKYO,INST SOLID STATE PHYS,ROPPONGI 106,TOKYO,JAPAN

[2] ECOLE POLYTECH PALAISEAU,LAB PHYS MAT CONDENSEE,PLATEAU PALAISEAU,91120 PLAISEAU,FRANCE

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1098(75)90244-6

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

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页数：3