INFRARED REFLECTIVITY AND TRANSMISSIVITY OF BORON-IMPLANTED, LASER-ANNEALED SILICON

被引：47

作者：

ENGSTROM, H

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.327476

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：5245 / 5249

页数：5

共 14 条

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