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TRANSIENT AND STEADY-STATE PHOTOCONDUCTIVITY IN A-SI1-XGEX-H,F ALLOYS
被引:14
作者
:
MACKENZIE, KD
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MACKENZIE, KD
PAUL, W
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PAUL, W
机构
:
来源
:
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS
|
1987年
/ 97-8卷
关键词
:
D O I
:
10.1016/0022-3093(87)90253-5
中图分类号
:
TQ174 [陶瓷工业];
TB3 [工程材料学];
学科分类号
:
0805 ;
080502 ;
摘要
:
引用
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页码:1055 / 1058
页数:4
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MACKENZIE, KD
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MOBILITY LIFETIME ESTIMATES IN AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON (A-SI-H)
SCHIFF, EA
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[J].
PHILOSOPHICAL MAGAZINE LETTERS,
1987,
55
(02)
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ALJISHI S, 1986, MATER RES SOC S P, V70, P269
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[3]
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PROPERTIES OF A-SI1-XGEX-H AND A-SI1-XGEX-H-F ALLOYS
MACKENZIE, KD
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PAUL, W
[J].
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS,
1985,
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-
884
[5]
MACKENZIE KD, 1987, J NONCRYSTALLINE S 2, V97
[6]
MACKENZIE KD, 1987, IN PRESS SPR MAT RES
[7]
PREPARATION OF PHOTOCONDUCTIVE A-SIGE ALLOY BY GLOW-DISCHARGE
NOZAWA, K
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MOBILITY LIFETIME ESTIMATES IN AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON (A-SI-H)
SCHIFF, EA
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SCHIFF, EA
[J].
PHILOSOPHICAL MAGAZINE LETTERS,
1987,
55
(02)
: 87
-
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