INVESTIGATIONS OF THE QUANTUM PHOTOVOLTAIC EFFECT IN INAS-GASB SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES

被引：7

作者：

BLEUSE, J

VOISIN, P

VOOS, M

MUNEKATA, H

CHANG, LL

ESAKI, L

机构：

[1] ECOLE NORMALE SUPER, PHYS SOLIDES GRP, 24 RUE LHOMOND, F-75231 PARIS 05, FRANCE

[2] IBM CORP, THOMAS J WATSON RES CTR, YORKTOWN HTS, NY 10598 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.99444

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：462 / 464

页数：3

共 3 条

[1] TRANSIENT PHOTOVOLTAIC EFFECT IN SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES [J].

BRUM, JA ;

VOISIN, P ;

BASTARD, G .

PHYSICAL REVIEW B, 1986, 33 (02) :1063-1066

CAPASSO, F ;

LURYI, S ;

TSANG, WT ;

BETHEA, CG ;

LEVINE, BF .

[3] TRANSIENT PHOTOVOLTAIC EFFECT IN INAS-GASB SUPERLATTICES [J].

VOISIN, P ;

BRUM, JA ;

VOOS, M ;

CHANG, LL ;

ESAKI, L .