LOW-NOISE GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS PREPARED BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引:5
作者
OMORI, M
DRUMMOND, TJ
MORKOC, H
机构
[1] UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
[2] UNIV ILLINOIS,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
关键词
D O I
10.1063/1.92796
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:566 / 569
页数:4
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