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- [11] PHOTOEMISSION OF ELECTRONS FROM SILICON INTO SILICON DIOXIDE[J]. PHYSICAL REVIEW, 1965, 140 (2A): : A569 - &WILLIAMS, R
AVALANCHE INJECTION OF ELECTRONS INTO INSULATING SIO2 USING MOS STRUCTURES
被引：121
作者：
NICOLLIAN, EH
BERGLUND, CN
机构：
关键词：
D O I：
10.1063/1.1659364
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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