OBSERVATION OF ELECTRON AND HOLE TRAPS IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON BY VOLTAGE-EXCITED AND LASER-EXCITED DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY

被引：19

作者：

COHEN, JD

LANG, DV

HARBISON, JP

BEAN, JC

机构：

来源：

SOLAR CELLS | 1980年 / 2卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0379-6787(80)90036-8

中图分类号：

TE [石油、天然气工业]; TK [能源与动力工程];

学科分类号：

0807 ; 0820 ;

摘要：

引用

收藏

页码：331 / 347

页数：17

相关论文

共 23 条

[21] SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO, pCH9
[22] ELECTRON-TRANSPORT IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON - DRIFT MOBILITY AND JUNCTION CAPACITANCE
TIEDJE, T
WRONSKI, CR
ABELES, B
CEBULKA, JM
[J]. SOLAR CELLS, 1980, 2 (03): : 301 - 318
[23] WRONSKI CR, 1980, J NONCRYST SOLIDS 2, V35, P743