EFFECT OF GROWTH PARAMETERS ON RESIDUAL STRESS AND DISLOCATION DENSITY OF CZOCHRALSKI-GROWN SILICON CRYSTALS

被引：17

作者：

DENICOLA, RO

TAUBER, RN

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1659763

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：4262 / &

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共 7 条

[1] DALLY JW, 1965, EXPERIMENTAL STRESS
[2] GIARDINI AA, 1958, AM MINERAL, V43, P249
[3] HORNSTRA J, 1959, PHILIPS RES REP, V14, P237
[4] INFRARED STUDIES OF BIREFRINGENCE IN SILICON
LEDERHANDLER, SR
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1959, 30 (11) : 1631 - 1638
[5] LEDERHANDLER SR, 1962, SOLID STATE DESIGN, V3, P27
[6] RHODES RG, 1964, IMPERFECTIONS ACTIVE, P157
[7] RUNYAN WR, 1965, SILICON SEMICONDUCTO, P40