CMOS HARDENING TECHNIQUES

被引：11

作者：

SCHLESIER, KM ^{[1
]}

NORRIS, PE ^{[1
]}

机构：

[1] RCA LABS, PRINCETON, NJ 08540 USA

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1972年 / NS19卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1972.4326845

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：275 / 281

页数：7

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