DETERMINATION OF CARBON IMPURITIES IN EPITAXIAL LAYERS FROM SEMICONDUCTOR SILICON BY MEANS OF CHARGED-PARTICLES

被引：3

作者：

BOTTGER, ML

BIRNSTEIN, D

HELBIG, W

机构：

来源：

JOURNAL OF RADIOANALYTICAL CHEMISTRY | 1980年 / 58卷 / 1-2期

关键词：

D O I：

10.1007/BF02533786

中图分类号：

O65 [分析化学];

学科分类号：

070302 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：183 / 187

页数：5

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共 4 条

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