ABSORPTION EDGE IN BETA-SILICON CARBIDE

被引：5

作者：

DALVEN, R

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3697(60)90139-6

中图分类号：

O6 [化学];

学科分类号：

0703 ;

摘要：

引用

页码：163 / 164

页数：2

共 7 条

[1] INFRARED ABSORPTION SPECTRUM OF GERMANIUM [J].

HALL, LH ;

BARDEEN, J ;

BLATT, FJ .

PHYSICAL REVIEW, 1954, 95 (02) :559-560

[2] ELECTRONIC CONDUCTION IN SILICON CARBIDE [J].

KENDALL, JT .

KOBAYASI, S .

[4]

LELY JA, 1956, SEMICONDUCTORS PHOSP, P514

[5] FINE STRUCTURE IN THE ABSORPTION-EDGE SPECTRUM OF GE [J].

MACFARLANE, GG ;

MCLEAN, TP ;

QUARRINGTON, JE ;

ROBERTS, V .

PHYSICAL REVIEW, 1957, 108 (06) :1377-1383

[6] INTRINSIC OPTICAL ABSORPTION IN SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE [J].

PHILIPP, HR .

PHYSICAL REVIEW, 1958, 111 (02) :440-441

[7]

POHL RG, 1959, PROGRAM C SILICON CA