20 GHZ BANDWIDTH LOW-NOISE HEMT PREAMPLIFIER FOR OPTICAL RECEIVERS

被引:15
作者
OHKAWA, N
机构
[1] NTT, Japan
关键词
D O I
10.1049/el:19880719
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
Optical Communication Equipment
引用
收藏
页码:1061 / 1062
页数:2
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KWANISHI S, 1986, ELECTRON LETT, V22, P337
[5]   A MESFET VARIABLE-CAPACITANCE MODEL FOR GAAS INTEGRATED-CIRCUIT SIMULATION [J].
TAKADA, T ;
YOKOYAMA, K ;
IDA, M ;
SUDO, T .
IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, 1982, 30 (05) :719-724