METAL-INSULATOR-TRANSITION IN THIN NICKEL FILMS

被引：28

作者：

CHERIET, L ^{[1
]}

HELBIG, HH ^{[1
]}

ARAJS, S ^{[1
]}

机构：

[1] CLARKSON UNIV,CTR ADV MAT PROC,POTSDAM,NY 13676

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1989年 / 39卷 / 14期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.39.9828

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：9828 / 9830

页数：3

共 7 条

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