4K MOS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY

被引：10

作者：

ABBOTT, RA

REGITZ, WM

KARP, JA

机构：

[1] INTEL CORP,SANTA CLARA,CA 95051

[2] INTERSIL CORP,CUPERTINO,CA 95014

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1973.1050406

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：292 / 298

页数：7

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共 9 条

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