SILICON IN LPE-GROWN GA1-XALXAS - EFFECT OF ARSENIC SOLUTION CONCENTRATION

被引：4

作者：

RADO, WG

CRAWLEY, RL

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1972年 / 43卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1661022

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：4816 / &

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