EFFECTS OF THE BUFFER LAYER IN METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY OF GAN ON SAPPHIRE SUBSTRATE

被引：226

作者：

AMANO, H

AKASAKI, I

HIRAMATSU, K

KOIDE, N

SAWAKI, N

机构：

[1] Nagoya Univ, Japan

来源：

THIN SOLID FILMS | 1988年 / 163卷

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(88)90458-0

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

Gallium Compounds

引用

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页码：415 / 420

页数：6

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共 2 条

[1]

AKASAKI I, 1987, I PHYS C SER, V91, P633

[2] METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXIAL-GROWTH OF A HIGH-QUALITY GAN FILM USING AN AIN BUFFER LAYER [J].

AMANO, H ;

SAWAKI, N ;

AKASAKI, I ;

TOYODA, Y .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1986, 48 (05) :353-355